GB/T1551-2009硅单晶电阻率测定方法

标准简介：本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。

标准号：GB/T 1551-2009

标准名称：硅单晶电阻率测定方法

英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料

替代以下标准：被GB/T 1551-2021代替;替代GB/T 1551-1995;GB/T 1552-1995

起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫.

检测流程